因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對準柵極, 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術參數：
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型號
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KDC 100
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供電
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DC magnetic
confinement
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- 陰極燈絲
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2
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- 陽極電壓
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0-100V DC
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電子束
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OptiBeam™
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- 柵極
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專用, 自對準
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-柵極直徑
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12 cm
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中和器
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燈絲
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電源控制
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KSC 1212
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament,
Sidewinder Filament 或LFN 2000
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- 安裝
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移動或快速法蘭
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- 高度
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9.25
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- 直徑
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7.6
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- 離子束
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聚焦
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平行
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散設
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-加工材料
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金屬
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電介質
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半導體
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-工藝氣體
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惰性
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活性
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混合
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-安裝距離
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8-36”
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- 自動控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調角度的支架
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KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應用領域：
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生
