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型 號：RFICP 40 |
數 量： |
| 品 牌：KRI |
包 裝： |
價 格：面議 |
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。 上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
射頻離子源 RFICP 40 特性:
1.
離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2.
離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
3.
提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4.
離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5.
柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6.
離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
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型號
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RFICP 40
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Discharge 陽極
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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離子動能
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe,
O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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12.7 cm
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直徑
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13.5 cm
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中和器
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LFN 2000
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KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立
Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 鄧小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109
F: +86-21-5046-1490
M: +86 1391-883-7267
臺灣伯東: 王小姐
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現部分品牌誠招合作代理商,
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